بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي (APTMS) Aminopropyltrimethoxysilane را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي C6 را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.